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产品介绍： SDY-4型四探针测试仪是根据单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准设计的半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)测试专用仪器.
仪器以大规模集成电路为核心部件,采用平面轻触式开关控制,及各种工作状态LED指示.应用微计算机技术，利用HQ-710E型测量数据处理器，使得测量读数更加直观、快速，并能实现晶片厚度自行修正，打印出全部预置和测量、计算数据。整套仪器体积小、功耗低、测量精度高、测试速度快、稳定性好、易操作。
SDY4四探针测试仪 本仪器可满足半导体材料、器件的研究生产单位对材料(棒材、片材)电阻率及扩散层、离子注入层、异型外延层和导电薄膜方块电阻测量的需要。 产品特点： 一、SDY-4型四探针测试仪
SDY-4型四探针测试仪主机、J-2B型测试台、装配9B或9D探头。
SDY-4型四探针测试仪主机、J-2B型测试台、专用710-E型数据处理器(含微型打印机)、装配9B或9D探头
SDY-4型四探针测试仪主机、DJ-2型电动测试台、装配9D探头 二、TZT-9B型四探针探头
探针间距1mm针距，针尖材料:碳化钨;针尖曲率半径:40±5μm;探针压力:12至16牛顿(总压力，此范围内可调);探针机械游移率:小于0.3%;探针伸出长度2+0.5mm;针尖锥体夹角60度;针间绝缘电阻:大于109ΩTZT-9B型四探针探头采用环氧精浇注(带红宝石轴套),以保证精确的针距.同时使用复合材料作探针,从而提高探针头的使用寿命.它具有绝缘性能好、测试数据可靠，使用寿命长等特点。它的所有技术指标符合国家标准，同时符合美国ASTM标准的有关规定。TZT-9B型四探针探头的压力为：12至16牛顿，它适用于测棒状单晶纵向电阻率和截面电阻率，适用于测片状单晶(其厚度≥1mm)的电阻率.用于测棒、厚片 三、TZT-9D型四探针探头
探针间距1mm针距，针尖材料:碳化钨锇合金;针尖曲率半径:40±5μm;探针压力:5至8牛顿(总压力，此范围内可调);探针机械游移率:小于0.3%;探针伸出长度2+0.5mm;针尖锥体夹角60度;针间绝缘电阻:大于109ΩTZT-9D型四探针探头采用环氧精浇注(带红宝石轴套),以保证精确的针距.同时适用复合材料作探针,从而提高探针头的使用寿命.它具有绝缘性能好、测试数据可靠，使用寿命长等特点。它的所有技术指标符合国家标准，同时符合美国ASTM标准的有关规定。用于测薄片 四、SDY-4C型二探针测试仪
SDY-4C型二探针测试仪主机、J-41型二探针测试台；专用710-C型数据处理器(含微型打印机)、装配9I型探头 五、TZT-9A型四探针探头
探针间距:1±0.01mm;探针钢材:高速钢;探针压力:12牛顿至16牛顿(总压力,可调);探针机械游移率:小于0.3%;探针伸出长度:2+0.5mm针尖锥体夹角:60度;针间绝缘电阻:大于109ΩTZT-9A型四探针探头采用环氧精密浇注(带红宝石轴套),以保证精确的针距.它具有绝缘性能好、测试数据可靠等特点。其所有技术指标符合国家标准，同时符合美国A S T M标准的有关规定，用于测棒、厚片 六、TZT-9C型四探针探头
探针间距:1±0.01mm;探针钢材:高速钢;探针压力:5牛顿至8牛顿(总压力,此范围内可调);探针机械游移率:小于0.3%;探针伸出长度:2+0.5mm针尖锥体夹角:60度;针间绝缘电阻:大于109ΩTZT-9C型四探针探头采用环氧精密浇注(带红宝石轴套),以保证精确的针距.它具有绝缘性能好、测试数据可靠等特点。其所有技术指标符合国家标准，同时符合美国A S T M标准的有关规定，用于测薄片 七、TZT-9G型四探针探头
探针间距:1,59±0.015mm;探针钢材:高速钢;探针压力:5牛顿至8牛顿(总压力,此范围内可调);探针机械游移率:小于0.3%;探针伸出长度:2+0.5mm针尖锥体夹角:60度;针间绝缘电阻:大于109ΩTZT-9G型仲裁四探针探头是根据美国ASMT标准中F84推荐使用的探针头而生产的.采用环氧精密浇注(带红宝石轴套),以保证精确的针距.它具有绝缘性能好、测试数据可靠等特点。其所有技术指标符合国家标准，同时符合美国A S T M标准的有关规定，用于测薄片 技术参数： 1 测量范围: 电阻率:0.001-200Ω.cm(可扩展);
方块电阻:0.01-2000Ω/口(可扩展);
2 可测晶片直径(最大):100mm(配J-2B型手动测试台)
200mm(配J-51型手动测试台)
3 恒流源:电流量程分为0.1、1、10、100(mA)四档,各档电流连续可调.误差<±0.3%
4 数字电压表:
量程:0-199.99mV; 分辨率:10μV
显示:四位半红色发光管数字显示;极性、小数点、超量程自动显示。
输入阻抗>1000MΩ; 精度:±0.1%.
5 最大电阻测量误差(按JJG508-87进行):0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字.
6 四探针探头:
间距:1±0.01mm;针间绝缘电阻≥1000MΩ;机械游移率:≤0.3%
探针压力:TZT-9A/9B: 12-16牛顿(总力) TZT-9C/9D 5-8 牛顿(总力)
7 整机不确定度:(用硅标样片测试)≤5% (0.01-180Ω.cm)
8 外形尺寸:电气主机:360mm×320mm×100mm；数据处理器：300mm×210mm×105mm
9 数据处理器功能:
A 键盘控制测量取数,自动进行电流换向,并进行正反向电流下的电阻率(或方块电阻)测量,显示出平均值.测薄片时,可自动进行厚度修正;
B 键盘控制数据处理,运算电阻率平均值和电阻率值最大百分变化及平均百分变化;
C 键盘控制打印全部测量数据.测量条件、最大电阻率值、最小电阻率值、电阻率最大百分变化及平均百分变化。
10 仪器重量：电气主机：约4kg；测试台：约10kg，数据处理器：约2.5kg
11 测试环境：温度23±2℃；相对湿度≤65％；无高频干扰；无强光照射。
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