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SDY-5型双电测四探针测试仪采用了四探针双位组合测量新技术,将范德堡测量方法推广应用到直线四探针上,利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，能自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响。因而每次测量不必知道探针间距、样品尺寸及探针在样品表面上的位置。由于每次测量都是对几何因素的影响进行动态的自动修正，因此显著降低了几何因素影响，从而提高了测量结果的准确度。所有这些，用目前大量使用的常规四探针测量方法所生产的仪器是无法实现的。
  使用本仪器进行测量时，由于不需要进行几何边界条件和探针间距的修正，因而对各种形状的薄膜材料及片状材料有广泛的适用性。仪器特别适用于测量片状半导体材料电阻率以及硅扩散层、离子注入层、异型外延层等半导体器件和液晶片导电膜、电热膜等薄层(膜)的方块电阻.
  仪器以大规模集成电路为核心部件,特别采用了平面轻触式开关设计和各种工作状态LED指示.并应用了微计算机技术,利用HQ-710F型微计算机作为专用测量控制及数据处理器,使得测量、计算、读数更加直观、快速，并能打印全部预置和测量数据。

产品特点：

一、SDY-5双电测四探针测试仪
SDY-5型双电测四探针测试仪主机、J-2B型测试架、专用710-F型数据处理器(含微型打印机)、装配9D探头SDY-5型双电测四探针测试仪主机、J-52型测试台、专用710-F型数据处理器(含微型打印机)、装配DNT－1型探头SDY-5型双电测四探针测试仪主机、J-52型测试台、装配DNT-1型探头

二、TZT-9D型四探针探头
探针间距1mm针距，针尖材料:碳化钨锇合金;针尖曲率半径:40±5μm;探针压力:5至8牛顿(总压力，此范围内可调);探针机械游移率:小于0.3%;探针伸出长度2+0.5mm;针尖锥体夹角60度;针间绝缘电阻:大于109ΩTZT-9D型四探针探头采用环氧精浇注(带红宝石轴套),以保证精确的针距.同时适用复合材料作探针,从而提高探针头的使用寿命.它具有绝缘性能好、测试数据可靠，使用寿命长等特点。它的所有技术指标符合国家标准，同时符合美国ASTM标准的有关规定。用于测薄片

三、SDY-6型双电测四探针测试仪
SDY-6型双电测四探针测试仪主机、J－52型测试架、专用710－F2型数据处理器(含微型打印机)、装配DNT－1型探头SDY-6型双电测四探针测试仪主机、J-2B型测试台、专用710－F2型数据处理器(含微型打印机)、装配9D型探头

技术参数：

1、测量范围：电阻率：0.001－200Ω.cm(可扩展)
薄层电阻:0.01-2000Ω/口(可扩展)
可测晶片厚度：≤3.00mm
2、恒流电源:电流分为100mA、1mA、10mA、 100ma 四档 ；连续可调；稳定度优于0.3%
3、数字电压表：量程：0－199.99mV;分辨率：0.01mV精度：±0.1%
                显示：四位半红色发光管数字显示。极性、小数点、超量程自动显示；
4、模拟电路测试误差：(用1、10、100、1000 Ω精密电阻测量)≤±0.3%±1字;
5、整机准确度：(用0.01至180Ω.cm硅标样片测试)≤4%
6、专用微计算机功能：
A 键盘控制测量取数，自动控制电流换向和电流、电压探针的变换，并进行正、反向电流下的测量，显示出平均值
B 键盘控制数据处理，按内存公式计算出薄层电阻或电阻率平均值以及百分变化。
C 键盘控制打印全部测量数据。包括测量条件，各次测量平均值、最大值、最小值，百分变化等数据。
7、外形尺寸：电气主机：360mm×320mm×100mm； 微计算机：300mm×210mm×105mm
8、仪器重量：电气主机：约4kg；测试架(J-2A型):约5kg;微计算机:约2.5kg;
9、电源：AC 220V±10%,50Hz,功率<25W
10、测试环境：温度23±2℃；相对湿度≤65％；无高频干扰；无强光照射。